삼성전자 GTC 부스 사진.삼성전자가 엔비디아 GTC에서 차세대 고대역폭 메모리(HBM4E)를 최초 공개하며 AI 반도체 시장 주도권 경쟁에 본격적으로 나섰다. 메모리부터 파운드리, 패키징까지 아우르는 ‘토털 솔루션’을 앞세워 엔비디아와의 전략적 협력도 한층 강화하는 모습이다.

삼성전자는 16일부터(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에 참가해 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. HBM4E는 1c D램 공정과 4나노 파운드리 기술을 기반으로 핀당 16Gbps 속도와 최대 4TB/s 대역폭을 지원하는 차세대 제품이다.

특히 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상 적층이 가능한 차세대 패키징 기술(HCB)도 함께 선보이며, 고성능 AI 반도체 구현을 위한 기술 경쟁력을 강조했다.

이번 전시에서 삼성전자는 메모리, 로직 설계, 파운드리, 패키징을 결합한 ‘토털 반도체 솔루션’을 전면에 내세웠다. 이를 통해 개발 효율성과 성능을 동시에 끌어올리는 종합반도체기업(IDM) 전략을 부각했다.

삼성전자 HBM4E 제품 전시 사진.또한 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘Vera Rubin’에 필요한 메모리와 스토리지를 통합 공급할 수 있는 유일한 기업으로서 입지를 강조했다. HBM4, 서버용 메모리 SOCAMM2, SSD PM1763 등을 포함한 전체 솔루션을 함께 전시하며 양사의 협력 관계를 한층 공고히 했다.

행사 기간 중 송용호 삼성전자 AI센터장은 엔비디아 초청 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 위한 메모리 전략과 비전을 제시할 예정이다. 이는 양사의 협력이 단순 부품 공급을 넘어 AI 시스템 전반으로 확대되고 있음을 보여주는 대목이다.

삼성전자는 이번 GTC를 계기로 고성능 메모리와 AI 인프라 시장에서 영향력을 확대하고, 글로벌 AI 생태계 내 핵심 파트너로서 입지를 더욱 강화해 나갈 계획이다.